HYG016N04LS1P دیتاشیت

HYG016N04LS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG016N04LS1P
حجم فایل 65.303 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG016N04LS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG016N04LS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 43.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5894pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 240A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 53pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه